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70V657S10DR

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Parte del produttore
70V657S10DR
Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Disponibile
19903
Schede tecniche in linea
70V657S10DR PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di memoria:Volatile
  • formato di memoria:SRAM
  • tecnologia:SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria:1.125Mb (32K x 36)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:-
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:10ns
  • tempo di accesso:10 ns
  • tensione - alimentazione:3.15V ~ 3.45V
  • temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:208-BFQFP
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:208-PQFP (28x28)
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