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PMWD19UN,518

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Parte del produttore
PMWD19UN,518
Produttore
NXP Semiconductors
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Disponibile
13854
Schede tecniche in linea
PMWD19UN,518 PDF
  • serie:TrenchMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.6A
  • rds su (max) @ id, vgs:23mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:700mV @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:28nC @ 5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1478pF @ 10V
  • potenza - max:2.3W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-TSSOP
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