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71V65603S100BQ

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Parte del produttore
71V65603S100BQ
Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Disponibile
10660
Schede tecniche in linea
71V65603S100BQ PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Active
  • tipo di memoria:Volatile
  • formato di memoria:SRAM
  • tecnologia:SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • Dimensione della memoria:9Mb (256K x 36)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:100 MHz
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:-
  • tempo di accesso:5 ns
  • tensione - alimentazione:3.135V ~ 3.465V
  • temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:165-TBGA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:165-CABGA (13x15)
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