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6116LA55DB

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Parte del produttore
6116LA55DB
Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Disponibile
19593
Schede tecniche in linea
6116LA55DB PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Active
  • tipo di memoria:Volatile
  • formato di memoria:SRAM
  • tecnologia:SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria:16Kb (2K x 8)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:-
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:55ns
  • tempo di accesso:55 ns
  • tensione - alimentazione:4.5V ~ 5.5V
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 125°C (TA)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:24-CDIP
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