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ESH1C R3G

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Parte del produttore
ESH1C R3G
Produttore
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Disponibile
11176
Schede tecniche in linea
ESH1C R3G PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):150 V
  • corrente - media rettificata (io):1A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:950 mV @ 1 A
  • velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):15 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:1 µA @ 150 V
  • capacità @ vr, f:16pF @ 4V, 1MHz
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:DO-214AC, SMA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DO-214AC (SMA)
  • temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 175°C
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