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ISL9R860S3ST

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Parte del produttore
ISL9R860S3ST
Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Disponibile
10442
Schede tecniche in linea
ISL9R860S3ST PDF
  • serie:Stealth™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):600 V
  • corrente - media rettificata (io):8A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:2.4 V @ 8 A
  • velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):30 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:100 µA @ 600 V
  • capacità @ vr, f:-
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263AB (D²PAK)
  • temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 175°C
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