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RGT16NS65DGC9

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Parte del produttore
RGT16NS65DGC9
Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
IGBT
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Disponibile
11785
Schede tecniche in linea
-
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
  • corrente - collettore (ic) (max):16 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):24 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 8A
  • potenza - max:94 W
  • energia di commutazione:-
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:21 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:13ns/33ns
  • condizione di test:400V, 8A, 10Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):42 ns
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-262
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